ALD
A deposição de camadas atômicas (ALD) é uma subclasse de deposição química de vapor (CVD). Esta técnica de deposição de filme fino é baseada no uso sequencial de um processo químico em fase gasosa. A maioria das reações usa dois produtos químicos chamados precursores (também chamados de “reagentes”). Esses precursores reagem com a superfície de um material, um de cada vez, de maneira sequencial. Um filme fino é lentamente depositado através da exposição repetida (em ciclos) a precursores separados. O ALD é um processo chave na fabricação de dispositivos semicondutores e parte do conjunto de ferramentas para sintetizar nanomateriais (fonte).
O LAMPEF possui o equipamento R-200 Standard da fabricante finlandesa PICOSUN®. A cobertura das amostras resulta de excelente uniformidade, mesmo em amostras de nanopartículas e porosas. Os sistemas PICOSUN® R-200 Standard são equipados com fontes precursoras altamente funcionais e facilmente trocáveis para produtos químicos líquidos, gasosos e sólidos. O carregamento é manual com elevador pneumático e trava de carga com braço manipulador magnético.
Tipo de substrato típico: Wafers simples, Objetos 3D, Pós e partículas
Temperatura de processamento: 50 – 500 °C
Processos típicos: Al2O3 e TiO2
Maiores informações: Profa. Dra. Cristiani Campos Plá Cid e Profa. Dra. Deise Schafer, contatos: cristiani.campos@ufsc.br e deise.schafer@ufsc.br
Na animação abaixo é possível entender o princípio da ALD:
